Para satisfazer as necessidades potentes das gerações futuras, os dispositivos de energia de nitrogênio do gálio (GaN) estão ganhando preferência devido às suas capacidades em fornecer uma resistência de loop de corrente do dispositivo muito baixa e comutação de alta velocidade. Devido à evolução da dinâmica das tecnologias centradas em dados, os dispositivos de energia GaN são testemunhas de uma adoção constante na alimentação de centros de tecnologia e data centers. O relatório recente do Future Market Insights sobre o mercado global de dispositivos de energia GaN projeta que, até o final de 2027, mais de US $ 2,5 bilhões de dispositivos de energia GaN serão vendidos em todo o mundo. Ao adotar dispositivos de energia GaN, as empresas de tecnologia estão reduzindo seus custos de energia com sucesso e, simultaneamente, testemunhando um aumento em seu desempenho geral.
Além disso, o relatório também observa que os dispositivos de energia GaN estão disponíveis em tamanhos compactos. Esses dispositivos são, portanto, facilitando os motivos da miniaturização, uma tendência chave no setor de tecnologia. Salvo algumas restrições, tais como altos custos iniciais de adoção, falta de técnicos qualificados e dificuldades na integração da tecnologia de energia GaN com as tecnologias existentes, espera-se que o mercado global de dispositivos de energia GaN aumente em um ritmo vigoroso, registrando um CAGR de 22,4 %. O mercado, que deverá atingir o valor de US $ 343,1 Mn até o final de 2017, também assistirá a uma crescente adoção de dispositivos de energia GaN desenvolvidos na tecnologia HEMT.
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Alta adoção de dispositivos de energia GaN com tecnologia HEMT
O uso de tecnologia de transistor de mobilidade de elétrons de alta potência (HEMT) na produção de dispositivos de energia GaN resultou ser lucrativo. As empresas que fabricam dispositivos de energia GaN estão desenvolvendo mais desses transistores de efeito de campo heterossetradas para fornecer altos níveis de desempenho nas freqüências de microondas. Em 2017, as receitas de quase US $ 160 milhões serão acumuladas a partir de vendas de dispositivos de energia HEMT GaN em todo o mundo.
Enquanto a tecnologia HEMT representará quase metade do valor de mercado, ao longo do período de previsão, a demanda por dispositivos de energia GaN com tecnologia MOSFET 4H-SiC registrará o crescimento mais rápido em 24,8% de CAGR. Os dispositivos de potência GaN desenvolvidos em transistores de efeitos de campo semicondutores de óxido metálico 4H-SiC são susceptíveis de assistir a uma adoção constante em aplicações de amplificação e comutação de sinal eletrônico.
Qorvo Inc. – Provedor de Dispositivo de Energia GaN dominante
O relatório analisou o crescimento do mercado através do perfil sistêmico de sua paisagem competitiva. A Wolfspeed Inc., a NXP Semiconductors, a Toshiba Corporation, a Infineon Technologies, Inc. e a Qorvo, Inc. deverão ser empresas líderes no mercado mundial de dispositivos de energia GaN durante o período de avaliação.
Em 2016, a Wolfspeed e a Infineon Tech representaram coletivamente uma participação de 40% no mercado global de dispositivos de energia da GaN, enquanto a Qorvo dominou com uma robusta companhia de 23%. Empresas como a Texas Instruments Incorporated, a GaN Systems Inc., a Efficient Power Conversion Corporation, a Panasonic Corporation e a Transphorm Inc. também são perfiladas como líderes no mercado global de dispositivos de energia GaN. Outros players no mercado incluem STMicroelectronics, AIXTRON SE, IQE PLC, EXAGAN e POWDEC.
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Os principais destaques do relatório incluem:
Até 2027, o Japão estará na frente da expansão global do mercado de dispositivos de energia GaN
O mercado de dispositivos de energia GaN no Oriente Médio e na África está vinculado para registrar rápido crescimento em 25% do CAGR durante o período de previsão
Em 2017, mais de US $ 210 Mn de receitas serão adquiridas pelas vendas globais de dispositivos de energia GaN contendo material de bolacha GaN Si
Com base no tamanho da bolacha, a demanda por dispositivos de potência GaN com bolachas tamanho 150mm-500mm permanecerá dominante
Enquanto a eletrônica de consumo será a maior indústria para a adoção de dispositivos de energia GaN, seu uso final também encontrará aplicações lucrativas no setor automotivo
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